科学技术日报，北京，4月28日（记者Zhang Menganran）韩国Poshang科学技术团队的Poshang科学技术团队发表了对下一代人工智能（AI）设备的非凡研究，以存储自然界的最新期刊，暴露了电化学随机访问记忆的工作机制（ECRAM）。将来，预计该技术将显着提高智能手机，平板电脑和笔记本电脑等设备的AI性能，并延长电池寿命。这种发展标志着AI硬件中高效和低能消耗的重要一步。 ？ AI技术的开发在数据处理方面已大大增加，现有的计算系统是单独存储和处理数据的，从而导致了巨大的时间和消费能源。为了解决这个问题，“内存计算”的概念已经存在。它直接支持计算记忆，消除了对数据移动的需求提出和启用更快，更好的计算过程。作为实施“内存计算”的基本技术，ECRAM使用离子运动来存储和处理信息，从而允许正在进行的模拟数据存储。但是，了解复杂的ECRAM结构及其高置换材料的特性已成为挑战，从而限制了其商业化过程。为了应对这些挑战，研究团队基于氧化钨设计了一个多末端的ECRAM设备结构，并在室温（300K）使用“ Parallel Dipole Dipole Line Hall System”的超马巴巴巴群温度（-223°C，50K）中成功观察到ECRAM内的电子动态行为。这是氧气空的ECRAM首次可以产生浅供体状态，为电子提供“快捷方式”以迅速移动。这项研究表明，ECRAM不仅增加了电子的数量，而且更重要的是创建一个促进电子传输的环境，即使在S处，也保持稳定向上低温，显示出极好的稳定性和耐用性。这项研究的意义在于，它通过实验详细说明了不同温度下的ECRAM转移机制，这为ECRAM技术的商业化提供了方法。