科学技术日报（记者Zhang Jiaxin）由东京大学，日本大学和美国约翰·霍普金斯大学主持的国际研究团队发现对沿线的抗fiferromagnets的异常影响。这一发现不仅挑战了解释大厅异常影响的理论框架，而且还扩大了可用于信息技术中的反铁磁铁的范围。研究结果最近发表了《自然通讯》杂志。在传统的理论框架中，大厅的异常影响被认为是铁磁材料的“专利”。旋转是自然而然的电子的，通常被描述为“向上”或“向下”。在Ferromagnet中，旋转都在两个方向上排列以使材料磁化。这种磁化也可能会使垂直于电流的电压不受外部磁场的速度垂直，这是大厅的异常效应。相反，AntiferrOmagnet旋转朝相反的方向排列，有效地抵消了磁化。因此，从理论上讲，抗铁磁体中的异常效应不会出现。但是，事实并非如此。以前，科学家报道说，大厅的异常作用出现在特定类型的共线抗铁磁铁中，但观察到的信号极为脆弱。因此，确定真正的无磁化异常效果是科学和技术上的重要性。目前，研究人员将金属二硫化物材料的转移作为二维结构单元。通过在原子层之间输入磁离子，Mg -Controlleda研究人员的电子运动和相互作用。修订后的三维结构有可能显示出在二维状态下不可能发生的新行为。最终观察结果表明，材料在两个宽温度Zon中显示出大厅的稳定和异常作用E（包括室温）和强磁场环境。这是科学家观察到影响共线抗铁磁铁的异常大厅的第一个证据。大厅的异常影响通常被认为伴随着磁化，因此该搜索表明它背后可能存在超过一般理解的因素。研究人员认为，材料电子带的独特结构可以产生大型的“虚拟磁场”，从而改善异常对不磁化状态的影响。接下来，研究人员计划通过实验证据确认这一假设，并使用拉曼光谱等技术进行一系列后续研究以显示基本机制。