北京大学物理学研究所的李·凯胡伊（Liu Kaihui）教授的说法，北京大学物理与材料物理学，北京大学物理学学院的刘凯胡岛教授提出了一种新的方法来准备“固体液体固体”材料，该新方法是在7月19日的新闻，该材料始终是在材料上进行了高质量的材料，该材料的材料（在材料上的高质量表演）提出了一种新的方法，该方法是在材料上进行的。实现晶体管设备的限制附近的较高的流动性和亚电动摇摆，以及在超短路频道（低于10 nm）的障碍（DIB）（DIB）障碍（DIB），更好的质量，更高的质量，//关闭率和弹道温度和弹道率，目前为3纳米计的技术。电子产品”。文章说，作为人工智能（AI）和插条的应用物联网（IoT）通过计算机计算能力的指数需求增长，基于传统的基于硅的基于硅的技术方法可以不断改进性能芯片，能源和集成芯片。因此，紧急开发在半导体通道中的新材料，以打破基于硅技术的瓶颈，并支持下一代集成电路的持续发展。具有原子厚度的二维半导体材料由于其超薄厚度和出色的电性能而引起广泛的关注。然而，由于自然物理特性（例如相对较大的电子有效质量，较低的热速度）和控制技术困难，因此很遗憾，在大型集成设备上主要的二维材料晶片的当前性能仍然很难与高级基于硅的设备相匹配。在许多候选材料中）由于出色的特性，例如有效质量，高速热和合适的带隙，因此被广泛认为是打破硅极限的强大竞争者。这是诺贝尔奖获得者安德烈·盖姆（Andre Geim）教授的“金半导体”。 INSE的理论性能不仅明显优于硅，而且超过了标准的二维半导体材料，例如MOS2和WS2。目前，首先在原型设备上进行了验证。但是，在很长一段时间内尚未解决其“瓶颈”问题的“瓶颈”问题，并且一直是阻止其应用的主要问题。当前，高质量的INSE样品主要是通过机械剥离来获取的。产出和尺寸受到限制，并且仅限于实验室研究，而远没有响应支持集成电路制造所需的晶圆级别和质量标准。目前，尽管晶圆级INSA电影可以增长在薄膜去除技术（例如蒸汽的金属有机化学去除（MOCVD）和分子束外延（MBE））上，它们的晶体质量和电性能还不够，它们的性能小于理论上的偏高。首先，制备其材料的主要挑战是：（1）-SE系统具有多种热力学稳定相（例如INS，IN2SE3，IN4SE3，IN6SE7）。非常小的化学计量偏差可以激发相位变化，从而降低了相位的纯度和不稳定的设备性能。 。因此，实现纯阶段，INSA的高质量Inspanat是促进其基于设备的应用程序的关键。 ▲图1。开发一种新的“固液 - 固体”生长策略，以使用高质量的晶体膜制备晶圆级。为了应对上述挑战，研究小组创新提出了“固体固体”二维INSA半导体准备方法，成功地征服了纯阶段和高质量准备的主要问题。具体而言，研究团队首先通过磁控棒溅射技术将无定形的Inse膜沉积到亚媒体底物上，以确保化学计量比为1：1。随后，在高温（〜550°C）下，晶状边缘被覆盖在熔点液体的附加空间中，以防止融合量的融合量，以防止融合量的融合量。温度，少数原子进入了固体的无定形膜，以在这种封闭的反应系统中产生丰富的液体界面。基于这种方法的E INS晶状体阵列超过了所有报道的2D薄电子膜，包括非常高的迁移率（平均最高287cm²/v S）和Boltzmann限制附近的阈值秋千（平均最高为67 mv/dec）。此外，10 nm通道坚持使用设备超过了具有关键性能指标的英特尔3纳米节点，例如操作电压，门长，倾角，有效质量，比率传递和弹道率温度。设备的同一时间延迟（延迟）和产品延迟产品消耗（EDP）优于2037 IRDS路线图上预测的硅技术限制。这一成功破坏了二维INS晶圆制备中的主要瓶颈，并为新一代高性能晶体管技术和低功耗提供了坚实的基础材料。将来，基于二维Inse晶片的集成电子系统有望在切割领域（例如人造）中发挥关键作用智能，自动驾驶和智能终端，并成为运动后计算体系结构的重要支持。 ▲图2。长通道（A-C）和短通道（D-F）INSE晶体管设备的出色电性能。北北京大学的Qin Biao和Jiang Jianfeng博士是联合第一作者； Professor Liu Kaihui, researcher Qiu Chenguang, Dr Jiang Jianfeng, and Associate Professor Liu Can of Renmin University of China, are co-communications .. The other major condemnationHelp include Peking University's Wang Engge academic and academic Peng Lianmao, Professor Feng of Suzhou Laboratory, Professor Wang Lu of Suzhou University, etc. The Innovation Center, the main laboratory纳米物理和化学教育部，轻元素高级材料研究中心和Songshan湖材料实验室。它连接到原始文本链接：https：//www.science.org/dii/10.1126/science.adu3803